RM540产品亮点

符合JEDEC eMMC 5.1标准,支持SDR/DDR/HS200/HS400接口模式
支持SLC缓存
支持FFU固件升级
专为OEM厂商打造的高性能、高质量产品,出货量已超千万

高性能

RM540支持HS400接口模式,支持SLC缓存,而且得益于独创的固件架构和智能GC算法,不管是在重负载还是轻负载,固件均可最大程度释放软硬件性能,顺序读写性能高达320/240 MB/s,随机读写性能高达9.4K/38K IOPS,产品性能可与原厂的产品对标。

高质量

忆联具备完善的质量保障体系,在产品整个生命周期内均有成熟的机制对质量进行管控。RM540在研发阶段就要求所有问题均需找到Root Cause,并进行问题闭环和足量验证,以确保产品量产后优异的质量表现。利用忆联独创的质量预测模型,可对量产后产品的质量表现进行准确预测。RM540已累计实现千万片级的出货量,经历了严格的市场检验,可满足客户各种应用场景下苛刻的DPPM要求。

高兼容性

产品经过了严格的设计论证、信号仿真、封装可靠性验证、协议一致性测试、温度冲击测试、固件可靠性验证,平台兼容性测试完整覆盖了Intel、AMD、Qualcomm、MTK等主流厂商的多个代际的平台,同时经历了Google认证以及非常苛刻的OEM导入验证,大量高强度、多维度测试确保RM540的兼容性业界领先。

规格参数

产品名称

RM540

容量

32GB

64GB

128GB

产品型号

RETMEDB32GSBB

RETMEDB64GDBB

RETMEDB128QBB

接口

eMMC 5.1

eMMC 5.1

eMMC 5.1

顺序读取

300MB/s

320MB/s

320MB/s

顺序写入

150MB/s

230MB/s

240MB/s

随机读取

9K IOPS

9.4K IOPS

9.4K IOPS

随机写入

31K IOPS

38K IOPS

38K IOPS

时钟模式

SDR/DDR/HS200/HS400

工作电压

VCC2.7~3.6VVCCQ1.7~1.95V/2.7~3.6V

工作温度

-25℃~85℃

存储温度

-40℃~85℃

封装形态

BGA 153Ball, 11.5mm*13.0mm*1.0mm


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