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RM540产品亮点

符合JEDEC eMMC 5.1标准，支持SDR/DDR/HS200/HS400接口模式
支持SLC缓存
支持FFU固件升级
专为OEM厂商打造的高性能、高质量产品，出货量已超千万

高性能

RM540支持HS400接口模式，支持SLC缓存，而且得益于独创的固件架构和智能GC算法，不管是在重负载还是轻负载，固件均可最大程度释放软硬件性能，顺序读写性能320/240 MB/s，随机读写性能9.4K/38K IOPS，产品性能可与原厂的产品对标。

高质量

忆联具备完善的质量保障体系，在产品整个生命周期内均有成熟的机制对质量进行管控。RM540在研发阶段就要求所有问题均需找到Root Cause，并进行问题闭环和足量验证，以确保产品量产后优异的质量表现。利用忆联独创的质量预测模型，可对量产后产品的质量表现进行准确预测。RM540已累计实现千万片级的出货量，经历了严格的市场检验，可满足客户各种应用场景下苛刻的DPPM要求。

高兼容性

产品经过了严格的设计论证、信号仿真、封装可靠性验证、协议一致性测试、温度冲击测试、固件可靠性验证，平台兼容性测试完整覆盖了主流厂商多个代际的平台，并经历了非常苛刻的OEM导入验证，大量高强度、多维度测试确保RM540的兼容性业界领先。

规格参数

产品名称	RM540
容量	32GB	64GB	128GB
产品型号	RETMEDB32GSBB	RETMEDB64GDBB	RETMEDB128QBB
接口	eMMC 5.1	eMMC 5.1	eMMC 5.1
顺序读取	300MB/s	320MB/s	320MB/s
顺序写入	150MB/s	230MB/s	240MB/s
随机读取	9K IOPS	9.4K IOPS	9.4K IOPS
随机写入	31K IOPS	38K IOPS	38K IOPS
时钟模式	SDR/DDR/HS200/HS400
工作电压	VCC：2.7~3.6V；VCCQ：1.7~1.95V/2.7~3.6V
工作温度	-25℃~85℃
存储温度	-40℃~85℃
封装形态	BGA 153Ball, 11.5mm13.0mm1.0mm