高效固件架构，混合随机读写性能突出
页交错块RAID算法，显著提升数据可用性
行业领先7000+测试用例，保障高兼容性及稳定性
CPU、OS及应用高适配，支持差异化定制需求
智能主控算法与HMB机制结合，显著提升性能表现
顺序读写速度最高达6800/5600 MB/s
固件软硬加速，应用运行更流畅
支持x86与非x86架构双轨技术体系
覆盖主流CPU与OS，支持国密算法
跨平台稳定运行，适配复杂应用需求
DRAM-less设计显著降低硬件采购成本
支持差异化需求开发，提升投资回报
增强型SSD日志多维度监控，大幅减少维护成本
| 型号 | AE531 | ||
| 形状 | M.2 2242-S3-M，M.2 2280-S3-M | ||
| 容量 | 512GB | 1TB | 2TB |
| 顺序读取 | 6400 MB/s | 6800 MB/s | 6800 MB/s |
| 顺序写入 | 4500 MB/s | 5600 MB/s | 5600 MB/s |
| QLC顺序写入 | 115 MB/s | 160 MB/s | 260 MB/s |
| 随机读取IOPS (4KB) | 450K | 700K | 700K |
| 随机写入IOPS (4KB) | 750K | 800K | 800K |
| 尺寸 | 长42±0.15mm或80±0.15mm，宽22±0.15mm，高2.38mm（最大） | ||
| 重量 | 最大3.6 g或6.0 g | ||
| 功耗 | L1.2: < 5 mW，空闲: < 50 mW，工作: < 160 mW | ||
| 总线接口 | PCIe接口Gen4*4 | ||
| NVMe标准 | NVMe 1.4 | ||
| 温度 |
工作：0℃~70℃ 非工作：-40℃~85℃ |
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| 湿度 | 5% to 95%，无冷凝 | ||
| 平均无故障工作时间 | 200万小时 | ||
| 冲击 |
工作：半正弦，1000G @1 ms，6面 非工作：半正弦，1500G @0.5 ms，6面 |
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| 振动 |
工作：随机振动，5Grms，10~2000 Hz，3轴 非工作：随机振动，7Grms，2~500 Hz，3轴 |
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| 供电电压 | 3.3V±5% | ||
| 纹波/噪声 | ≤100mV | ||
地址：深圳市南山区记忆科技后海中心B座19楼
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