基于最新NAND介质与深度调优架构
较UH812a系列性能再次升级：顺序写提升14%,随机写提升20%；4K随机读时延低至52µs
为AI训练、高频交易等场景提供澎湃算力
集成端到端数据保护、数据安全擦除、Sanitize及256K Atomic Write等特性，确保数据路径完整性
支持NVMe-MI 1.2b带外管理，满足 AI 严苛的数据处理需求
内置智能多流、TRIM、智能预读及namespace流控，结合延时统计与慢IO监控
有效优化写入放大和QoS波动，为AI推理业务提供持续稳定的低延迟QoS保障
提供U.2与E3.S双形态，适配主流服务器架构
支持通知式/暴力热插拔、固件在线升级（无需上下电）
并集成带外状态监控、资产管理等能力，大幅降低超大规模集群TCO与运维复杂度
| 型号 | UH812c | UH832c | ||||||
| 容量 | 1.92 TB | 3.84 TB | 7.68 TB | 15.36 TB | 1.6 TB | 3.2 TB | 6.4 TB | 12.8 TB |
| 顺序读带宽 | 14900 MB/s | |||||||
| 顺序写带宽（128KB） | 4500 MB/s | 9500 MB/s | 11000 MB/s | 12000 MB/s | 4500 MB/s | 9500 MB/s | 11000 MB/s | 12000 MB/s |
| 随机读 (4KB) | 2800 K | 3500 K | 3500 K | 3300 K | 2800 K | 3500 K | 3500 K | 3300 K |
| 随机写 (4KB) | 300 K | 580 K | 610 K | 650 K | 500 K | 900 K | 1100 K | 1200 K |
| 4K随机读写延时@QD1 | 52/6 µs | |||||||
| 4K顺序读写延时@QD1 | 7/6 µs | |||||||
| 功耗 | Idle功耗≤5W，整盘峰值功耗≤25W | |||||||
| 数据写入总量 | 3.50 PB | 7.01 PB | 14.02 PB | 28.03 PB | 8.76 PB | 17.52 PB | 35.04 PB | 70.08 PB |
| 重量-U.2 | 148±10 g | 148±10 g | 148±10 g | 158±10 g | 148±10 g | 148±10 g | 148±10 g | 158±10 g |
| 重量-E3.S | / | / | 110±10 g | 120±10 g | / | / | 110±10 g | 120±10 g |
| 寿命 | 1 DWPD | 3 DWPD | ||||||
| 形态 | U.2/E3.S 1T | |||||||
| 介质 | 3D eTLC | |||||||
| 接口协议 | PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 | |||||||
| TRIM | 支持 | |||||||
| 可靠性 |
平均故障间隔时间（MTBF）：250万小时 误码率（UBER）：≤10-18 |
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| 温度 |
存储温度：-40℃ to 85℃ 工作温度：0℃ to 83℃ |
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| 数据保持时间 | 3个月@40度 | |||||||
地址：深圳市南山区记忆科技后海中心B座19楼
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