UH811a/UH831a产品亮点

支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4标准协议
存储容量高达 7.68TB(U.2),专为高可用系统设计
采用12nm自研控制器,先进的制程工艺,性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技术,将热数据流与冷数据流分层存储,提高ESSD的性能与使用寿命并降低成本
超低延迟和高质量服务(QoS),平均读写时延低至96/14 μs
卓越的企业级可靠性:闪存RAID、端到端数据路径保护、高级ECC、安全擦除、电源损失保护

卓越性能

支持PCIe Gen 4高速接口,采用忆联自研主控和固件。其中,主控在关键数据路径设置了多个硬件加速模块,顺序读写性能高达7000/4200 MB/s,随机读写性能高达1600K/300K IOPS,读写延迟、QoS等性能均处于行业领先水平。

极致体验

采用多种智能算法,支持可变扇区、多流、原子写、QoS等增强特性,动态、静态结合磨损平衡算法有效延长硬盘寿命,双重固件备份升级机制和掉电保护机制为客户核心数据保驾护航。

易于维护

支持1s固件升级在线激活,无需重新上下电。
支持通知热插拔、暴力热插拔,支持行业主流开源工具。

规格参数

型号

UH811a

UH831a

容量

1.92TB

3.84TB

7.68TB

1.6TB

3.2TB

6.4TB

顺序读取((128KB

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

7000MB/s

顺序写入(128KB

2500MB/s

3800MB/s

3800MB/s

2500MB/s

4200MB/s

4200MB/s

随机读取IOPS4KB

900K

1600K

1600K

900K

1600K

1600K

随机写入IOPS4KB

100K

150K

150K

200K

300K

300K

平均读取时延(4KB

96μs

96μs

96μs

96μs

96μs

96μs

平均写入时延(4KB

17μs

17μs

17μs

14μs

14μs

14μs

功耗(静态/最大)

8.5W/21W

8.5W/21W

8.5W/21W

8.5W/21W

8.5W/21W

8.5W/21W

数据写入总量

3.50PB

7.01PB

14.02PB

8.76PB

17.52PB

35.04PB

耐用等级(4K随机)

1 DWPD

3 DWPD

形态

U.2

闪存介质

YMTC 128L 3D eTLC

基本功能

扇区大小

支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇区

掉电保护

支持

产品升级

支持通过NVMe命令

可靠性

不可修复错误率

e10-17

平均无故障工作时间

200万小时

年失效率

0.44%

数据保留(电源关闭)

40℃,大于3个月

质保期限

5年(不超过数据写入总量)

标准

接口协议

PCIe Gen 4*4NVMe 1.4SP*4

TRIM

支持

环境参数

存储温度

-40℃~85

工作温度

0~78

湿度

5%~95%相对湿度,无冷凝

海拔

工作:-305~3048

非工作:-305~12192

振动

工作:2.17千兆赫(5 ~ 700赫兹)

存储:3.13千兆赫(5 ~ 800赫兹)

冲击

1000G@0.5ms(半正弦波)

供电

DC 12V+/-10%

冲击电流(最大值)

<3A@1s

外观

尺寸

2.5英寸

重量

<350g


资料下载
产品中心
企业级固态硬盘
消费级固态硬盘
嵌入式存储
解决方案
服务器
数据中心
个人电脑
移动终端
智能穿戴
核心技术
自主研发控制器
固件设计
封装测试
服务支持
下载中心
咨询与投诉
关于忆联
企业简介
大事记
荣誉资质
企业文化
联系我们
新闻资讯
公司新闻
媒体报道
展会活动
标杆案例
投资者关系
公司治理
管理团队
财务报告
最新公告
加入我们
社会招聘
校园招聘

深圳忆联信息系统有限公司

地址:广东省深圳市南山区蛇口街道东角头工业区D栋5楼

电话:0755-2681 3300

邮箱:support@unionmem.com

  • 微信:
  • 官方微博