支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4标准协议
存储容量高达 7.68TB（U.2），专为高可用系统设计
采用12nm自研控制器，先进的制程工艺，性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技术，将热数据流与冷数据流分层存储，提高ESSD的性能与使用寿命并降低成本
顺序读写性能7000/4200 MB/s，随机读写性能1600K/300K IOPS
超低延迟和高质量服务（QoS）
卓越的企业级可靠性：闪存RAID、端到端数据路径保护、高级ECC、安全擦除、电源损失保护
支持PCIe Gen 4高速接口，采用忆联自研主控和固件。其中，主控在关键数据路径设置了多个硬件加速模块，顺序读写性能7000/4200 MB/s，随机读写性能1600K/300K IOPS，平均读写时延仅96/14 μs，读写延迟、QoS等性能均处于行业领先水平。
采用多种智能算法，支持可变扇区、多流、原子写、QoS等增强特性，动态、静态结合磨损平衡算法有效延长硬盘寿命，双重固件备份升级机制和掉电保护机制为客户核心数据保驾护航。
支持1s固件升级在线激活，无需重新上下电。
支持通知热插拔、暴力热插拔，支持行业主流开源工具。
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型号 |
UH810a |
UH830a |
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闪存介质 |
3D eTLC |
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容量 |
1.92TB |
3.84TB |
7.68TB |
1.6TB |
3.2TB |
6.4TB |
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顺序读取（128KB） |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
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顺序写入（128KB） |
2500MB/s |
3800MB/s |
3800MB/s |
2700MB/s |
4200MB/s |
4200MB/s |
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随机读取IOPS（4KB） |
1300K |
1600K |
1600K |
1500K |
1660K |
1660K |
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随机写入IOPS（4KB） |
100K |
150K |
150K |
300K |
300K |
300K |
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数据写入总量 |
3.50PB |
7.01PB |
14.02PB |
8.76PB |
17.52PB |
35.04PB |
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基本功能 |
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平均读取时延（4KB） |
96μs |
96μs |
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平均写入时延（4KB） |
17μs |
14μs |
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耐用等级（4K随机） |
1 DWPD |
3 DWPD |
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功耗（静态/最大） |
8.5W/21W |
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形态 |
U.2 |
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扇区大小 |
支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇区 |
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掉电保护 |
支持 |
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产品升级 |
支持通过NVMe命令 |
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可靠性 |
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不可修复错误率 |
e10-17 |
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平均无故障工作时间 |
200万小时 |
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年失效率 |
0.44% |
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数据保留（电源关闭） |
40℃，大于3个月 |
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质保期限 |
5年（不超过数据写入总量） |
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标准 |
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接口协议 |
PCIe Gen 4*4，NVMe 1.4，SP*4 |
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TRIM |
支持 |
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环境参数 |
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存储温度 |
-40℃～85℃ |
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工作温度 |
0℃~78℃ |
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湿度 |
5%~95%相对湿度，无冷凝 |
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海拔 |
工作：-305米~3048米 非工作：-305米~12192米 |
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振动 |
工作：2.17千兆赫（5 ~ 700赫兹） 存储：3.13千兆赫（5 ~ 800赫兹） |
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冲击 |
1000G@0.5ms（半正弦波） |
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供电 |
DC 12V，+/-10% |
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冲击电流（最大值） |
<3A@1s |
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外观 |
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尺寸 |
2.5英寸 |
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重量 |
<350g |
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