忆联发布三款ESSD与CSSD新品,引领固态存储新升级

日期:2022-04-08 浏览:188 分享:

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2022年,全球闪存市场面临新一轮的变革。一方面,NAND厂商供应能力持续增长,主要厂商的供应能力节节攀升,但其增速已出现分化,随着行业整合不断加速,市场竞争格局将有较大调整。另一方面,在新基建、中国制造2025、自主可控等国家政策推动下,中国区闪存市场快速增长,同时中美贸易摩擦与技术脱钩风险加剧,建立国内自主可控的闪存供应链已极为紧迫。

在这种情势下,忆联(Union Memory)于近日发布三款固态硬盘新品,包括UH811a/UH831a系列ESSD,以及AM630、AM521系列CSSD,标志着忆联在企业级、消费级存储市场均取得了新的突破。面对变革期的全球闪存市场,忆联依托自研控制器、固件设计、封装测试等核心技术,持续推出高性能、低延迟、高可靠性且各具差异化竞争力的固态硬盘新品,志在引领固态存储行业新升级。

忆联UH811a/UH831a:采用12nm自研控制器与智能多流技术,顺序读取速度高达7000/4200 MB/s,随机读写速度高达1600K/300K IOPS

忆联UH811a/UH831a系列ESSD支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4标准协议,搭载YMTC 128L 3D eTLC闪存颗粒,顺序读取速度高达7000/4200 MB/s,随机读写速度高达1600K/300K IOPS。同时,其存储容量高达 7.68TB(U.2),专为高可用系统设计,并拥有超低延迟和高质量服务(QoS),平均读写时延低至96/14 μs。

值得一提的是,忆联UH811a/UH831a系列ESSD采用12nm自研控制器,先进的制程工艺,性能更高而功耗、成本更低。而且,基于智能多流技术,将热数据流与冷数据流分层存储,提高ESSD的性能与使用寿命并降低成本。



忆联AM630:首款面向ODM客户的PCIe Gen 4 CSSD

忆联AM630系列CSSD采用PCIe Gen 4高速接口,是业界首款面向ODM客户的PCIe Gen 4 CSSD。其顺序读写速度高达3200/2400 MB/s,随机读写速度高达420K/340K IOPS,满足个人电脑、服务器、工业级个人电脑等应用需求。同时,其拥有M.2.2242与M.2.2280两种规格,容量高达1TB,L1.2功耗小于3mW,空闲功耗小于50mW,工作功耗小于150mW,显著提升设备续航时间。



忆联AM521:重量最大仅3.5g,超高性价比

忆联AM521系列CSSD采用PCIe接口,顺序读写速度高达2100/900 MB/s、SLC随机读写速度高达156K/174K IOPS、TLC随机读写速度高达90K/39K IOPS。同时,其拥有128GB、256GB两种容量,重量最大仅3.5g,工作功耗小于4W,是各类追求高性价比应用的绝佳选择。



目前,忆联UH811a/UH831a系列ESSD,以及AM630、AM521系列CSSD均已实现量产。随着这三大更具竞争力的新品推出,忆联将为服务器、数据中心、个人电脑等应用提供更高性能、更低延迟、更高可靠性的解决方案,助力互联网、信创行业、消费电子客户实现商业成功。

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